Fabrikasi dan karakterisasi lapisan I, P dan N A-µC-Si:H yang dideposisi dalam reaktor PECVD tunggal pada frekuensi 70 Mhz

Detail Tugas Akhir

Fabrikasi dan karakterisasi lapisan I, P dan N A-µC-Si:H yang dideposisi dalam reaktor PECVD tunggal pada frekuensi 70 Mhz

Atmadi, Aufridus (1998) Fabrikasi dan karakterisasi lapisan I, P dan N A-µC-Si:H yang dideposisi dalam reaktor PECVD tunggal pada frekuensi 70 Mhz. Masters thesis, Institut Teknologi Bandung.

Berkas Tugas Akhir

PDF

Text (Abstract)
1301.pdf

Ukuran File (190kB)

PDF

Text (Full)
1301_full.pdf
Restricted to Registered users only

Akses terbatas: khusus pengguna terdaftar Ukuran File (740kB)

Informasi Item

Item Type	Thesis (Masters)
Subjects	Q Science > QC Physics
Divisions	Faculty of Science and Technology > Departement of Physics
Date Deposited	16 Feb 2016 08:28
Last Modified	16 Feb 2016 08:28
URI	https://repository.usd.ac.id/id/eprint/2982

Actions (login required)

: View Item

Repositori USDPerpustakaan Universitas Sanata Dharma

Sekretariat 0274-880137 Ext: 1538 628112652539 library@usd.ac.id

Telusur

Layanan

Informasi

Kampus 2Jl. Affandi, Mrican, Caturtunggal, Kec. Depok, Kabupaten Sleman, Daerah Istimewa Yogyakarta 55281
PelayananSenin–Jumat, 07.30–21.00 WIB
Sabtu, 08.00–12.30 WIB
Libur kampus tutup.