Fabrikasi dan karakterisasi lapisan I, P dan N A-µC-Si:H yang dideposisi dalam reaktor PECVD tunggal pada frekuensi 70 Mhz

Atmadi, Aufridus (1998) Fabrikasi dan karakterisasi lapisan I, P dan N A-µC-Si:H yang dideposisi dalam reaktor PECVD tunggal pada frekuensi 70 Mhz. Masters thesis, Institut Teknologi Bandung.

[img]
Preview
Text (Abstract)
1301.pdf

Download (190kB) | Preview
[img]
Preview
Text (Full)
1301_full.pdf

Download (740kB) | Preview
Item Type: Thesis (Masters)
Subjects: Q Science > QC Physics
Divisions: Faculty of Science and Technology > Departement of Physics
Depositing User: Y. Etik Supriyanti
Date Deposited: 16 Feb 2016 08:28
Last Modified: 16 Feb 2016 08:28
URI: http://repository.usd.ac.id/id/eprint/2982

Actions (login required)

View Item View Item